ప్రెస్-ప్యాక్ IGBT
ప్రెస్-ప్యాక్ IGBT (IEGT)
| రకం | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2.5 | ≤1.20 | ≤0.50 | 125 | 0.075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1.50 | ≤0.90 | 125 | 0.027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2.5 | ≤1.50 | ≤0.33 | 125 | 0.012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2.5 | ≤1.66 | ≤0.57 | 125 | 0.017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4.0 | ≤1.90 | ≤0.50 | 125 | 0.05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3.5 | 1.9 | ≤0.35 | 125 | 0.03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1.8 | ≤0.85 | 125 | 0.017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4.0 | ≤2.2 | ≤0.60 | 125 | 0.012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4.0 | ≤2.1 | ≤0.58 | 125 | 0.011 |
గమనిక:D- డితోఐయోడ్ పార్ట్, ఎ-డయోడ్ భాగం లేకుండా
సాంప్రదాయకంగా, ఫ్లెక్సిబుల్ DC ట్రాన్స్‌మిషన్ సిస్టమ్ యొక్క స్విచ్ గేర్‌లో టంకము కాంటాక్ట్ IGBT మాడ్యూల్స్ వర్తించబడ్డాయి.మాడ్యూల్ ప్యాకేజీ సింగిల్ సైడ్ హీట్ డిస్సిపేషన్.పరికరం యొక్క శక్తి సామర్థ్యం పరిమితం మరియు సిరీస్‌లో కనెక్ట్ చేయడానికి సరైనది కాదు, ఉప్పు గాలిలో తక్కువ జీవితకాలం, పేలవమైన వైబ్రేషన్ యాంటీ-షాక్ లేదా థర్మల్ ఫెటీగ్.
కొత్త రకం ప్రెస్-కాంటాక్ట్ హై-పవర్ ప్రెస్-ప్యాక్ IGBT పరికరం టంకం ప్రక్రియలో ఖాళీలు, టంకం పదార్థం యొక్క థర్మల్ ఫెటీగ్ మరియు సింగిల్-సైడ్ హీట్ డిస్సిపేషన్ యొక్క తక్కువ సామర్థ్యాన్ని పూర్తిగా పరిష్కరించడమే కాకుండా వివిధ భాగాల మధ్య ఉష్ణ నిరోధకతను తొలగిస్తుంది. పరిమాణం మరియు బరువును తగ్గించండి.మరియు IGBT పరికరం యొక్క పని సామర్థ్యం మరియు విశ్వసనీయతను గణనీయంగా మెరుగుపరుస్తుంది.ఫ్లెక్సిబుల్ DC ట్రాన్స్‌మిషన్ సిస్టమ్ యొక్క అధిక-శక్తి, అధిక-వోల్టేజ్, అధిక-విశ్వసనీయత అవసరాలను తీర్చడానికి ఇది చాలా అనుకూలంగా ఉంటుంది.
ప్రెస్-ప్యాక్ IGBT ద్వారా సోల్డర్ కాంటాక్ట్ రకాన్ని ప్రత్యామ్నాయం చేయడం అత్యవసరం.
2010 నుండి, Runau ఎలక్ట్రానిక్స్ కొత్త రకం ప్రెస్-ప్యాక్ IGBT పరికరాన్ని అభివృద్ధి చేయడానికి మరియు 2013లో ఉత్పత్తిని విజయవంతం చేయడానికి విశదీకరించబడింది. పనితీరు జాతీయ అర్హత ద్వారా ధృవీకరించబడింది మరియు అత్యాధునిక సాధన పూర్తయింది.
ఇప్పుడు మనం 600A నుండి 3000A వరకు మరియు VCES పరిధిలో 1700V నుండి 6500V వరకు IC శ్రేణి ప్రెస్-ప్యాక్ IGBTని తయారు చేయవచ్చు మరియు అందించవచ్చు.చైనాలో తయారు చేయబడిన ప్రెస్-ప్యాక్ IGBT యొక్క అద్భుతమైన అవకాశం చైనా ఫ్లెక్సిబుల్ DC ట్రాన్స్‌మిషన్ సిస్టమ్‌లో వర్తింపజేయబడుతుంది మరియు ఇది హై-స్పీడ్ ఎలక్ట్రిక్ రైలు తర్వాత చైనా పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్ పరిశ్రమలో మరొక ప్రపంచ స్థాయి మైలురాయిగా మారుతుంది.
సాధారణ మోడ్ యొక్క సంక్షిప్త పరిచయం:
1. మోడ్: ప్రెస్-ప్యాక్ IGBT CSG07E1700
●ప్యాకేజింగ్ మరియు నొక్కడం తర్వాత విద్యుత్ లక్షణాలు
● రివర్స్సమాంతరంగాకనెక్ట్ చేయబడిందిఫాస్ట్ రికవరీ డయోడ్నిర్ధారించారు
● పరామితి:
రేట్ చేయబడిన విలువ (25℃)
a.కలెక్టర్ ఉద్గారిణి వోల్టేజ్: VGES=1700 (V)
బి.గేట్ ఎమిటర్ వోల్టేజ్: VCES=±20 (V)
సి.కలెక్టర్ కరెంట్: IC=800 (A）ICP=1600) (A)
డి.కలెక్టర్ పవర్ డిస్సిపేషన్: PC=4440 (W)
ఇ.పని జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత: Tj=-20~125℃
f.నిల్వ ఉష్ణోగ్రత: Tstg=-40~125℃
గమనిక: రేట్ చేయబడిన విలువ కంటే పరికరం పాడైపోతుంది
ఎలక్ట్రికల్Cహారాక్టరిస్టిక్స్, TC＝125℃,Rth (యొక్క ఉష్ణ నిరోధకతకు జంక్షన్కేసు)చేర్చబడలేదు
a.గేట్ లీకేజ్ కరెంట్: IGES=±5 (μA)
బి.కలెక్టర్ ఉద్గారిణిని నిరోధించే ప్రస్తుత ICES=250 (mA)
సి.కలెక్టర్ ఉద్గారిణి సంతృప్త వోల్టేజ్: VCE(sat)=6(V)
డి.గేట్ ఎమిటర్ థ్రెషోల్డ్ వోల్టేజ్: VGE(th)=10(V)
ఇ.సమయాన్ని ఆన్ చేయండి: టన్=2.5μs
f.సమయం ఆఫ్ చేయండి: Toff=3μs
2. మోడ్: ప్రెస్-ప్యాక్ IGBT CSG10F2500
●ప్యాకేజింగ్ మరియు నొక్కడం తర్వాత విద్యుత్ లక్షణాలు
● రివర్స్సమాంతరంగాకనెక్ట్ చేయబడిందిఫాస్ట్ రికవరీ డయోడ్నిర్ధారించారు
● పరామితి:
రేట్ చేయబడిన విలువ (25℃)
a.కలెక్టర్ ఉద్గారిణి వోల్టేజ్: VGES=2500 (V)
బి.గేట్ ఎమిటర్ వోల్టేజ్: VCES=±20 (V)
సి.కలెక్టర్ కరెంట్: IC=600 (A）ICP=2000) (A)
డి.కలెక్టర్ పవర్ డిస్సిపేషన్: PC=4800 (W)
ఇ.పని జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత: Tj=-40~125℃
f.నిల్వ ఉష్ణోగ్రత: Tstg=-40~125℃
గమనిక: రేట్ చేయబడిన విలువ కంటే పరికరం పాడైపోతుంది
ఎలక్ట్రికల్Cహారాక్టరిస్టిక్స్, TC＝125℃,Rth (యొక్క ఉష్ణ నిరోధకతకు జంక్షన్కేసు)చేర్చబడలేదు
a.గేట్ లీకేజ్ కరెంట్: IGES=±15(μA)
బి.కలెక్టర్ ఉద్గారిణిని నిరోధించే ప్రస్తుత ICES=25 (mA)
సి.కలెక్టర్ ఉద్గారిణి సంతృప్త వోల్టేజ్: VCE(sat)=3.2 (V)
డి.గేట్ ఎమిటర్ థ్రెషోల్డ్ వోల్టేజ్: VGE(th)=6.3(V)
ఇ.సమయాన్ని ఆన్ చేయండి: టన్=3.2μs
f.సమయం ఆఫ్ చేయండి: Toff=9.8μs
g.డయోడ్ ఫార్వర్డ్ వోల్టేజ్: VF=3.2 V
h.డయోడ్ రివర్స్ రికవరీ సమయం: Trr=1.0 μs
3. మోడ్: ప్రెస్-ప్యాక్ IGBT CSG10F4500
●ప్యాకేజింగ్ మరియు నొక్కడం తర్వాత విద్యుత్ లక్షణాలు
● రివర్స్సమాంతరంగాకనెక్ట్ చేయబడిందిఫాస్ట్ రికవరీ డయోడ్నిర్ధారించారు
● పరామితి:
రేట్ చేయబడిన విలువ (25℃)
a.కలెక్టర్ ఉద్గారిణి వోల్టేజ్: VGES=4500 (V)
బి.గేట్ ఎమిటర్ వోల్టేజ్: VCES=±20 (V)
సి.కలెక్టర్ కరెంట్: IC=600 (A）ICP=2000) (A)
డి.కలెక్టర్ పవర్ డిస్సిపేషన్: PC=7700 (W)
ఇ.పని జంక్షన్ ఉష్ణోగ్రత: Tj=-40~125℃
f.నిల్వ ఉష్ణోగ్రత: Tstg=-40~125℃
గమనిక: రేట్ చేయబడిన విలువ కంటే పరికరం పాడైపోతుంది
ఎలక్ట్రికల్Cహారాక్టరిస్టిక్స్, TC＝125℃,Rth (యొక్క ఉష్ణ నిరోధకతకు జంక్షన్కేసు)చేర్చబడలేదు
a.గేట్ లీకేజ్ కరెంట్: IGES=±15(μA)
బి.కలెక్టర్ ఉద్గారిణిని నిరోధించే ప్రస్తుత ICES=50 (mA)
సి.కలెక్టర్ ఉద్గారిణి సంతృప్త వోల్టేజ్: VCE(sat)=3.9 (V)
డి.గేట్ ఎమిటర్ థ్రెషోల్డ్ వోల్టేజ్: VGE(th)=5.2 (V)
ఇ.సమయాన్ని ఆన్ చేయండి: టన్=5.5μs
f.సమయం ఆఫ్ చేయండి: Toff=5.5μs
g.డయోడ్ ఫార్వర్డ్ వోల్టేజ్: VF=3.8 V
h.డయోడ్ రివర్స్ రికవరీ సమయం: Trr=2.0 μs
గమనిక:ప్రెస్-ప్యాక్ IGBT అనేది దీర్ఘకాలిక అధిక మెకానికల్ విశ్వసనీయత, నష్టానికి అధిక నిరోధకత మరియు ప్రెస్ కనెక్ట్ నిర్మాణం యొక్క లక్షణాలలో ప్రయోజనం, సిరీస్ పరికరంలో ఉపయోగించడం సౌకర్యంగా ఉంటుంది మరియు సాంప్రదాయ GTO థైరిస్టర్‌తో పోలిస్తే, IGBT అనేది వోల్టేజ్-డ్రైవ్ పద్ధతి. .అందువల్ల, ఆపరేట్ చేయడం సులభం, సురక్షితమైనది మరియు విస్తృత ఆపరేటింగ్ పరిధి.